149,000 تومان
تعداد صفحات | 99 |
---|---|
شابک | 978-622-378-304-3 |
فهرست
عنوان صفحه
فصـل اول 15
مقدمه 15
مکانیزم تولید الکتریسیته در یک پنل فتوولتاییک 16
تأثیر دما بر عملکرد پنل خورشیدی فتوولتاییک 18
روشهای خنککاری پنل خورشیدی فتوولتاییک 19
فصـل دوم 23
مقدمه 23
مطالعه 23
فصـل سوم 39
مقدمه 39
اصول تحلیل حرارتی یک پنل فتو ولتاییک 40
مشخصات مسئله 42
مشخصات پنل فتو ولتاییک 43
مشخصات ترموفیزیکی 43
معرفی نرم افزار ANSYS Fluentبرای شبیهسازی و طراحی سامانهی خنککاری پنل فتوولتاییک 44
الف) تجزیه و تحلیل حرارتی ( Thermal Analysis ): 47
ضریب انتقال حرارت: 47
مقدار افزاینده برای ضریب انتقال حرارت 47
مقدار افزاینده برای افت فشار 47
اختلاف دمای میانگین 48
حداقل ضریب تصحیح مجاز اختلاف دمای میانگین 48
حداقل دمای نزدیکی مجاز 48
حداکثر شار گرمایی مجاز 48
بیشترین تعداد تکرار حالت طراحی: 48
تلورانس حالت شبیهسازی: 49
تعداد بازههای محاسبه: 49
نتایج (Results): 49
ب) مسیر بهینهسازی 50
ج) مرور طراحیها 50
تحلیل حرارتی پنل فتوولتاییک و معرفی مکانیزمهای خنککاری 50
تحلیل اگزرژی پنل فتوولتاییک 53
تحلیل افت فشار در پنل فتوولتاییک در حالت دوفازی 54
محاسبات حرارتی در پنل فتوولتاییک 57
فصـل چهارم 63
مقدمه 63
معرفی روشهاي بهينهسازي 65
روش نمونه برداري LHD 65
معرفي روش RSM 69
فرمولبندی تابع هدف با روش RSM 69
الگوريتم ژنتيک برای حل مدل ریاضی 72
الگوريتم ژنتيک در طراحي مهندسي 73
روند کلي حل مسائل در الگوريتم ژنتيک 74
معرفی الگوریتم بهينهسازي مورد استفاده در این مطالعه 77
معرفی توابع هدف و متغیرهای طراحی 78
بهينهسازي با اهداف چندگانه 81
روش ميانگين هندسي 82
روش بهينه سازي با اهداف چندگانهي MDO 83
خلاصه فصل 83
فصـل پنجم 85
مقدمه 85
تأثیر فشار اولیهی سیال خنککاری بر بازدهی کلکتور فتوولتاییک 85
تأثیر شدت تابش، فاصلهی پوشش شیشهای از کلکتور، دمای محیط و سرعت باد بر عملکرد کلکتور فتوولتاییک 87
ترسیم مدل ریاضی بازدهی اگزرژی γf و افت فشار ∆Pc 89
نتایج بهینهسازی هندسی کلکتور فتوولتاییک 91
الف- روش میانگین هندسی: 93
ب- روش MDO: 93
نتایج بهینهسازی بر بازدهی اگزرژی و تخریب اگزرژی کلکتور 94
نتیجهگیری 98
منـابع و مآخـذ 100
طراح میتواند ضریبی را که موجب افزایش ضریب فیلم شود، تعیین کند که این ضریب به وسیله نرمافزار محاسبه میشود. در صورتی که کاربر ترکیبی مثل tube inserts یا لولههای پرهدار داخلی در پنل فتوولتاییک وجود داشته باشد که نرم افزار آن را پوشش ندهد با وارد نمودن یک مقدار ضریب افزاینده میتوان محاسبات را اصلاح نمود. همچنین طراح میتواند برای برقراری ضریب ایمنی برای ضریب فیلم، از ضریب کاهنده (کمتر از یک) استفاده کند که نشان دهندهی این است که کاربر از ترکیبات و خواص جریان سیال مطمئن نبوده است.
مشابه ضرایب افزاینده انتقال حرارت، طراح میتواند ضریبی را که افزاینده افت فشار محاسبه شده توسط نرمافزار وارد کند. افت فشار افزاینده تاثیری بر افت فشار ورودی و خروجی نازل ها و کلگی پنل ندارد. این افزایندهها میتوانند به طور مستقل یا وابسته به افزایندههای ضریب فیلم به کار روند.
با وجود اینکه معمولاً نرم افزار اختلاف دمای میانگین را محاسبه کند طراح میتواند مقداری را برای آن تعیین کند.
اکثر منحنیهای ضریب تصحیح شیب خیلی تندی را در مقادیر زیر 7/0 دارند. بنابراین در حالت طراحی، نرم افزار قبل از ورود به پوستههای چندتایی متوالی حداقل مقدار 7/0 را به عنوان ضریب تصحیح فرض میکند. در حالت ارزیابی مقدار این پارامتر 5/0 فرض میشود. با این پارامتر ورودی طراح میتواند مقدار بالاتر یا پایینتر را تعیین کند.
طراح میتواند حداقل دمای نزدیکی سیالات را تعیین کند. نرم افزار در صورت نیاز تعداد پوستههای متوالی را متناسب با این مقدار افزایش میدهد.
در کاربردهای تبخیر، محدود کردن شار انتقال گرما اغلب دارای اهمیت میباشد به طوری که از تولید سریع بخار زیاد ( که منجر به تشکیل فیلم بخار و کاهش سریع ضریب انتقال فیلم میشود) جلوگیری میکند. نرم افزار برای شار گرمایی محدودیتهایی دارد، اما طراح نیز میتواند با تعیین مقداری برای این پارامتر، محدودیتهای خود را اعمال کند.
نرم افزار در حالت طراحی تمام پارامترهای طراحی را مجدداً تکرار میکند تا به پایینترین قیمت محصول دست یابد. طراح میتواند جهت بهینهسازی، بیشترین تعداد تکرار را تنظیم کند.
طراح باید خطای مجاز محاسبات را برای حالت شبیهسازی نرم افزار مشخص کند و باید توجه کند که خطای مجاز خیلی پایین ممکن است منجر به صرف زمان بیشتری برای محاسبه شود.
نرم افزار برای طراحی مبدل حرارتی به بخشهای کوچکتر تقسیم میکند و این پارامتر نشان دهنده تعداد این بازهها است.
نتایج اجرا و محاسبات نرم افزار به سه قسمت اصلی تقسیم می شوند که عبارتند از:
لازم به ذکر است که وضعیت طراحی به نوبه خود به سه قسمت تقسیم میشود که عبارتند از:
الف) خلاصه دادههای ورودی (Input Summary )
ب) مسیر بهینهسازی ( Optimization Path )
ج) مرور طراحیها ( Recap of Designs )
الف) خلاصه داده های ورودی
این بخش برای طراح خلاصهای از اطلاعات مشخص شده در فایل ورودی را فراهم میکند. پیشنهاد میشود که طراح دادههای ورودی را به عنوان بخشی از خروجی که برای سهولت در استفاده مجدد در طراحی به کار می رود، پرینت کند.
این بخش از خروجی مربوط به قسمت استدلال نرم افزار است و بعضی از پنلهای فتوولتاییک را که نرمافزار ارزیابی کرده است و سعی در ایجاد شرایطی برای طراحی رضایت بخش داشته، نشان میدهد. این طرحیهای میانی میتواند محدودیتهایی را که در کنترل طراحی وجود دارند و همچنین پارامترهایی را که طراح میتوانست جهت بهینهسازی بیشتر تغییر دهد، نشان دهند. برای کمک به طراح که بداند چه محدودیتهایی در حال کنترل طراحی هستند، شرایطی که مشخصات مورد نظر طراح را تامین نمیکنند با یک ستاره (*) در کنار مقدار مورد نظر نشان داده شده است. اگر پنل فتو ولتاییک خورشیدی سطح کمی داشته باشد، علامت ستاره در کنار طول مورد نیاز لوله و اگر از حداکثر مجاز تجاوز کند، در کنار افت فشار ظاهر میشود.
طراح در این مرحله شکل هندسی و کارایی همه طراحیها را تا نقطه مورد نظر مرور میکند. این مقایسه دقیق به کاربر اجازه میدهد تا تأثیر تغییرات طراحیهای مختلف را مشخص کند و بهترین پنل فتو ولتاییک خورشیدی را برای کاربرد مورد نظر انتخاب کند. فرض بر این است که این مرور همان خلاصه اطلاعات را که در بخش مسیر بهینهسازی نشان داده شده، برای طراح فراهم میکند. طراح میتواند با گزینه Customize اطلاعاتی را که در این برگه نشان داده میشود تغییر دهد. طراح میتواند با مراجعه به فهرست Recap و انتخاب گزینه Select Case موردی را که میخواهد طراحی کند، انتخاب نماید. نرمافزار نتایج طراحی را برای موردی که انتخاب شده مجدداً ایجاد میکند.
پنل فتوولتاییک شبیهسازی شده مطابق با شکل 3-4 میباشد. مراحل شبیهسازی انجام شده در نرمافزار انسیس به صورت زیر است:
تعداد صفحات | 99 |
---|---|
شابک | 978-622-378-304-3 |
.فقط مشتریانی که این محصول را خریداری کرده اند و وارد سیستم شده اند میتوانند برای این محصول دیدگاه(نظر) ارسال کنند.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.